IntelとMicronは、20nmプロセスで製造された、業界初となる128GbitのNAND型フラッシュメモリを発表しました。この技術は、スマートフォン・タブレット・SSDのストレージとして投入されます。
従来のNAND型フラッシュメモリは、64GBのストレージが最高でしたが、今回新たに発表された128Gbitのチップは、8層に重ねる事が可能で、最大128GBのストレージ容量を達成できます。
これにより、スマートフォンなどの小型デバイスでも、128GBもの大容量のストレージが実現する事になります。凄いですね。
また今回の新製品は容量だけでなく、読み書き速度も非常に高速で、インターフェイスとして333MT/sのONFiバージョン3.0を採用しています。
同製品の量産は、2012年の上半期に開始されます。もしかしたらAppleのiPhone5など、2012年に発売されるスマートフォンに、128GBのストレージが搭載されるようになるかもしれません。期待しましょう。
