韓国の半導体大手SKハイニックスは30日、スマートフォン向け3GB RAMを実現する6Gb LPDDR3 RAMを開発したと発表しました。
6Gb LPDDR3を4層重ねれば、RAM容量は3GBとなります。
20nmプロセスを適用し、従来の4Gb製品を6層重ねた製品に比べて消費電力を30％削減でき、より薄くできるそうです。
SKハイニックスによると、現在Galaxy Note 3などの一部機種が採用するに留まる3GB RAMは、2014年にはハイエンドスマートフォンを中心に採用が本格化すると予想され、2015年以降も継続的に需要が見込める模様。本製品は2014年初めの量産開始を目標にしているそうです。
経由：inews 24
